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如何獲得滿意的圖像?

2023-07-10  瀏覽量:296

 

SEM的參數設置

 

前言

 

除了選擇合適的探測器外,SEM可以設置或變換的參數很多,這是雙刃劍——帶來便利性的同時也帶來了復雜性,甚至讓人無從下手。需要拿好這把劍,為我所用。本文總結各種常用參數對圖像的影響,并給出建議,以供我們依樣品和用途進行選用。

 

首先闡述設置參數在成像中的重要性,然后分別從加速電壓、束斑和束流、工作距離等方面出發,給出建議。

 

1 成像、信號和參數的關系

 

成像由物到像,又由圖像襯度揭示樣品特征。電子與樣品相互作用后,樣品的微觀特征決定了信號的差異,接收信號后圖像反映出相應的特征。以樣品和信號特征為中心,設置參數影響了作用時的電子光學條件,探測器影響了探測條件和圖像襯度。所以,在電鏡內,樣品和設置參數決定了信號的特征,如產額和分布等差別;探測器接收信號,在顯示器上反映出差別,溝通了電鏡內外、微觀和宏觀。

 

成像中各要素間的關系

圖1 成像中各要素間的關系

 

也是如此,為獲得滿意的圖像,設置參數和探測器不可或缺,不可不察。探測器的選擇可以參見專欄17和18,下邊來講一下設置參數的策略。

 

最首要的是明確觀察目的或側重點,分辨率、信噪比、景深、反映何種襯度、是否需要進行能譜分析等等。其次根據操作水平,如新手首先需要滿足圖片的信噪比,不用追求分辨率,可以設置中等加速電壓(5~15keV)、大束流的參數。

 

需要注意的是,很多選擇要根據多個參數進行優化,所以不能只關注于單一個參數,而要明白它們之間辯證統一的關系。這些參數以及它們的關系可以回顧專欄6、7和8。

 

2 加速電壓

 

加速電壓決定了電子束動能的大小,無疑是最重要的設置參數。從電子光學考慮,它決定了電子束亮度及亮度方程中其他參數的關系,也決定了色差和最小束斑;從電子與樣品相互作用考慮,它決定了作用區的深度、各種信號類型的比例、不同信息的反映,以及荷電等假象;從圖像質量考慮,直接或間接地決定了信噪比和襯度的可見性;從能譜分析考慮,它決定了過壓比、空間分辨率和峰背比等一系列參數;從EBSD考慮,它決定了空間分辨率、磷屏效率和花樣質量等。

 

對于鎢燈絲電鏡而言,低電壓受制于電子光學亮度而優選較高加速電壓,而對于場發射電鏡,得益于更高的電子光學亮度和對低加速電壓性能的優化,它適用的加速電壓范圍更廣,在表征時帶來更多的適用性和靈活性。

 

加速電壓的選擇,首先明確樣品的導電性。導電樣品對加速電壓的要求不太嚴格;對于不導電也不宜鍍膜的樣品,一般應設置在低加速電壓下為宜;但是對于導體上不導電的納米材料,稍高的加速電壓也可嘗試。當然對于初學者而言,大部分樣品鍍導電膜更為簡單、容易。

 

其次,明確觀察目的和側重的方向。有時需要很高分辨率,如果是導電樣品可以使用中等加速電壓(15 kV左右),利用其束斑小、電子源亮度高的優勢再結合合適的工作距離;如果是薄樣品或分散于薄樣品上的顆粒,可以使用高加速電壓(如30 kV),使用STEM探測器;如果樣品不導電又需要高分辨,選用低電壓加低工作距離。若觀察表面細節,可選擇低加速電壓,以避免中高加速電壓下較大的電子束作用區。反之如果需要了解深層信息(如觀察包覆材料或者核殼結構),可適當提高加速電壓。有時樣品表面存在污染,低加速電壓對表面極為敏感,污染一覽無余,但是高加速電壓下卻不明顯。又或者需要看清邊緣或者測量尺寸,中高加速電壓下邊緣較亮甚至會造成細節損失,那么低加速電壓亦可考慮。

 

其次,考慮各種加速電壓下二次電子和背散射電子的產額,以及想獲得何種襯度。比如關心成分襯度,在低加速電壓下某些元素的襯度不隨元素單調變化,這時可使用通常加速電壓。對于電位襯度,如果表面干凈無污染通常低加速電壓效果較好。對于取向襯度,新鮮表面(如離子研磨或FIB加工),低電壓下襯度更為明顯;如果表面有氧化層等,可以增加加速電壓。

 

顯微分析如能譜分析和EBSD表征,大體而言,偏向較高的加速電壓。

 

圖2總結了掃描電鏡從最高加速電壓(一般是30 kV)到最低加速電壓(一般小于1 kV),對各個因素有利和不利的評價。加速電壓的選擇要根據使用目的和樣品情況,利用有利的因素,補償不利的因素,合理設置相關的條件以獲得滿意的圖像。

 

不同加速電壓對成像影響的評價

圖2 不同加速電壓對成像影響的評價

(紅色為不利,橙色為有利)

 

3 束流束斑

 

束流是強度值,束斑是尺度值,自然也非常重要。束流影響了信號量、劑量、圖像的信噪比和襯度的可見性,而束斑部分地決定了可探測的微觀尺度。形象地說,可以將電子束視為一根探針,束斑對應探針的尺寸,而束流對應探針的強度。根據亮度方程(專欄8),在加速電壓固定時,束流增加,束斑會以平方倍增加,所以束流和束斑通常是同步變化的,在此一并討論。

 

在中低倍時,亮度方程中束流和束斑的矛盾并不明顯,但是在高倍時,這種矛盾會變得非常明顯。小束流小束斑利于高分辨成像,但是信噪比相對差;大束流大束斑,信噪比好,但是易損傷敏感樣品,高倍下圖像可能會漏掉高分辨細節;大束流小束斑,需要增加電子源亮度(增加加速電壓)和增加會聚角(近工作距離),但是增加加速電壓也增加了電子作用區。所以選擇束斑和束流時應該考慮觀察目的、放大倍數、加速電壓和樣品類型等。

 

在中低倍時,亮度方程中束流和束斑的矛盾并不明顯,但是在高倍時,這種矛盾會變得非常明顯。小束流小束斑利于高分辨成像,但是信噪比相對差;大束流大束斑,信噪比好,但是易損傷敏感樣品,高倍下圖像可能會漏掉高分辨細節;大束流小束斑,需要增加電子源亮度(增加加速電壓)和增加會聚角(近工作距離),但是增加加速電壓也增加了電子作用區。所以選擇束斑和束流時應該考慮觀察目的、放大倍數、加速電壓和樣品類型等。

 

圖3總結了束流和束斑對成像和顯微分析的影響。可見一些相互矛盾的方面,比如高倍時,信噪比和可見性與分辨率的矛盾。有時為了得兼兩方面,對策略提出了要求,需要增加探測效率和掃描時間,也對電鏡提出了要求——更好的電子源、鏡筒和探測器。

 

束斑束流對成像影響的評價

圖3 束斑束流對成像影響的評價

(紅色為不利,橙色為有利)

 

束流和束斑的選擇,可以通過控制電子源、光闌孔徑和第一聚光鏡強度等措施來實現。許多電鏡顯示值跟測量值不一致,又或者不顯示束流,這時可以使用法拉第杯測量真實束流。束斑測量則有一定難度。

 

光闌與工作距離共同決定了會聚角,見圖4所示的幾何關系。根據亮度方程,當加速電壓固定時,會聚角控制束流跟束斑的關系,隨之影響了景深、信噪比和分辨率。

 

會聚角跟光闌空間和工作距離的關系

圖4 會聚角跟光闌空間和工作距離的關系

 

下邊分別討論光闌與工作距離。

 

4 光闌孔徑

 

光闌一般有幾種孔徑可供選擇,一般在微米量級范圍。一般較小的孔徑配合遠工作距離可實現大景深,或者配合低工作距離實現較高的分辨率。隨著光闌孔徑的擴大,束斑和束流都隨之增大,景深變差,但適用于EDS和EBSD分析。

 

圖5總結了其他條件一定時,物鏡光闌孔徑對各種成像效果的影響。

 

光闌孔徑對成像和分析影響的評價

圖5 光闌孔徑對成像和分析影響的評價

(紅色為不利,橙色為有利)

 

需要注意的是,為了得到更小的束斑,會聚角存在最佳值。這說明單調靠小孔徑光闌未必能得到高分辨率的圖像,還需配合工作距離實現。此外還要考慮圖像的信噪比,這時要考慮束流的大小。所以,單純說小光闌對應高分辨率是片面的。

 

5 工作距離

 

對會聚角和會聚效果的調節,除了設置不同的光闌孔徑,通過升降樣品臺改變工作距離也是較為常用的操作。不僅于此,工作距離還影響到不同探測器的接收角度范圍和接收效率、物鏡電場/磁場的分布以及顯微分析的效率,所以是非常重要的參數。圖6為其他條件一定的情況下,工作距離的變化對各種因素的影響。

 

工作距離對成像影響的評價

圖6 工作距離對成像影響的評價

(紅色為不利,橙色為有利)

 

當加速電壓和光闌孔徑不變,相對于遠工作距離,近工作距離有以下優點:電子源的縮小倍率更大,同時降低了像差,于是能得到更小的束斑;可得到稍高的會聚角,獲得小束斑的同時束流不至于太低;還利于提高物鏡內探測器的接收效率。這些都保障了高分辨成像。但是很低的工作距離存在風險,調整時應謹慎。

 

遠工作距離,對高分辨成像不利,但是可以獲得大視場。加上會聚角小,可以實現更好的景深。此消彼長,物鏡內探測器效率降低而倉內探測器信號量升高,倉內探測器接收到的SE1和SE2的比例也增加。

 

工作距離的改變除了改變入射束的會聚角外,還會改變收集信號電子的角度和探測效率。比如探測器的探測角度隨工作距離變化,襯度類型也可能會發生一些改變。大體上,越近的工作距離,探測器越傾向收集低角度信號。這些內容可見專欄17。

 

對于顯微分析,為取得較滿意的計數率和分析效果,對工作距離的要求跟成像不完全一致。EDS往往要求工作距離設置在5-10 mm范圍(依廠家和設置)。EBSD可能需要工作距離再遠一些(通常大于12 mm),TKD則需要稍近一些(如5 mm)。日常使用時,碰到高分辨成像的情形相對少,故設置在中間的工作距離的情況較多,得兼成像與EDS,提高測試的效率。

 

除了以上參數設置,在拍攝時還需要選擇拍攝的參數,這部分內容詳見專欄6。

 

不得不說,在日常的應用中,電鏡型號和配置的多樣性,樣品的復雜性和測試目的的復雜性會難以將所有規律進行概況,也難免以偏概全。對于我們操作者而言,掌握各參數間的聯系并理解背后蘊含的原理,以發揮電鏡更全面的性能,得到理想的效果。

 

成像不總是一帆風順,也會出現假象,尤其是當在高加速電壓、高倍率、大束流、長駐留時間時。下一欄我們談一下成像時的一些假象——荷電、損傷、積碳和漂移。

 

精彩回顧

 

專欄18:如何選擇SEN探測器-2

專欄17:如何選擇SEN探測器-1

專欄16:SEM圖像解讀-3

專欄15:SEM圖像解讀-2

專欄14:SEM圖像解讀-1

專欄13:掃描電鏡的眼睛-2

專欄12:掃描電鏡的眼睛

專欄11:掃描電鏡高手打怪的必經之路

專欄10:如何拍出更精準的樣品原貌圖?

專欄9:為什么你拍的SEM圖像不清晰?

專欄8:掃描電鏡高手進階之路

專欄7:手把手教你操作掃描電鏡

專欄6:如何拍出高清圖像

專欄5:SEM的信號3

專欄4:SEM的信號2

專欄3:SEM的信號1

專欄2:SEM的工作原理

專欄1:掃描電鏡概述

 

參考文獻

 

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