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先進(jìn)材料表征方法
| X射線能譜分析（EDS） | 聚焦離子束分析（FIB） | 俄歇電子能譜分析（AES） | X射線光電子能譜分析（XPS） |
| 動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜分析（D-SIMS） | 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析（TOF-SIMS） | ||
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先進(jìn)材料表征方法介紹
利用電子、光子、離子、原子、強(qiáng)電場(chǎng)、熱能等與固體表面的相互作用，測(cè)量從表面散射或發(fā)射的電子、光子、離子、原子、分子的能譜、光譜、質(zhì)譜、空間分布或衍射圖像，表征材料表面微觀形貌、表面粗糙度、表面微區(qū)成分、表面組織結(jié)構(gòu)、表面相結(jié)構(gòu)、表面鍍層結(jié)構(gòu)及成分等相關(guān)參數(shù)。
應(yīng)用領(lǐng)域
材料、電子、汽車、航空、機(jī)械加工、半導(dǎo)體制造、陶瓷品、化學(xué)、醫(yī)學(xué)、生物、冶金、地質(zhì)學(xué)等。
常用檢測(cè)技術(shù)分析深度
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分辨率和探測(cè)分析能力
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檢測(cè)分析方法介紹
| 分析方法 | 典型應(yīng)用 |
| 俄歇電子能譜(AES) | 表面微區(qū)分析； 深度剖面分析 |
| X射線光電子能譜(XPS/ESCA) | 表面元素及價(jià)態(tài)分析； 深度剖面分析 |
| 動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜(D-SIMS) | 對(duì)薄膜材料表面元素進(jìn)行深度分析 |
| 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS) | 有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的表面微量分析； 表面離子成像； 深度剖面分析； |
| 輝光放電質(zhì)譜(GDMS) | 微量和超微量元素分析；深度剖面分析 |
| 掃描電子顯微鏡&X射線能譜(SEM/EDS) | 表面形貌觀察； 微米尺寸測(cè)量； 微區(qū)成分分析； 污染物分析 |
| X射線熒光分析(XRF) | 測(cè)量達(dá)到幾個(gè)微米的金屬薄膜的厚度； 未知固相、 液相和粉體中的元素識(shí)別； 金屬合金的鑒定 |
| 傅?葉紅外光譜(FTIR) | 識(shí)別聚合物和有機(jī)物；污染物分析 |
| 透射電子顯微鏡&電子能量損失譜(TEM/EELS) | 微區(qū)成分分析;晶體結(jié)構(gòu)分析；晶格成像 |
| 背散射電子衍射(EBSD) | 晶粒尺寸； 晶格方向； 晶粒錯(cuò)位； 結(jié)晶度 |
| X射線衍射(XRD) | 相結(jié)構(gòu)分析； 晶體取向和晶體質(zhì)量； 結(jié)晶度； 金屬和陶瓷上的殘余應(yīng)力 |
| 掃描探針顯微鏡、原子力顯微鏡(SPM/AFM) | 三維表面結(jié)構(gòu)圖像， 包含表面粗糙度、微粒尺寸、 步進(jìn)高度、 傾斜度 |
| 拉曼光譜(Raman) |
識(shí)別有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的分子結(jié)構(gòu)； 金剛石和石墨的碳層特征； 污染物分析 |
| 聚焦離子束(FIB) | 非接觸式樣品準(zhǔn)備； 芯片電路修改 |
| 離子研磨拋光(CP) | 樣品微區(qū)切割 |
典型檢測(cè)分析圖示
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