如何拍出高清圖像?
拍照中的基本操作——放大倍數(shù)控制、聚焦和拍攝
前言
在實(shí)踐中,設(shè)定參數(shù)、移動(dòng)樣品并找到目標(biāo)位置后會(huì)進(jìn)行一系列操作,比如縮放、聚焦、亮度/對(duì)比度調(diào)節(jié),然后選擇所需的速度拍攝圖片。本篇講解拍照操作中的基本操作:放大倍數(shù)設(shè)定、聚焦和拍攝速度的選擇。
1 放大倍數(shù)控制
1.1 定義
在掃描電鏡中,一端是電子束在樣品表面l范圍內(nèi)掃描,另一端是信號(hào)在顯示器上顯示寬度為L(zhǎng)的像,如圖1所示的對(duì)應(yīng)關(guān)系。放大率或者放大倍數(shù)(Magnification),被定義為像寬度L與物寬度ι的比值,即:M=L/ι
圖1 掃描電鏡的物和像的關(guān)系以及放大倍數(shù)的定義
1.2 實(shí)現(xiàn)
通常電鏡顯示器上圖像的寬度L是固定的,所以往往通過(guò)調(diào)節(jié)物的尺寸ι來(lái)改變放大倍數(shù)。ι越大,可以觀察到的范圍(即視場(chǎng))越大,而放大倍數(shù)越小,這樣利于觀察樣品的全貌;尺寸ι越小,視場(chǎng)就越小,而放大倍數(shù)就越大,這樣利于觀察特征的細(xì)節(jié)。在掃描電鏡上實(shí)現(xiàn)起來(lái)也非常簡(jiǎn)單:使用掃描線圈控制掃描范圍的大小,偏轉(zhuǎn)的角度大則掃描范圍大,掃描范圍大則ι放大倍數(shù)小,反之亦然,如上圖左側(cè)所示。這樣掃描電鏡中可以非常便捷地實(shí)現(xiàn)放大倍數(shù)連續(xù)可調(diào),就像無(wú)級(jí)變速一樣便捷。
根據(jù)放大倍數(shù)的公式,增加L或降低ι,放大倍數(shù)理論上可以無(wú)限大。但是考慮樣品特征和掃描電鏡的分辨能力,ι存在下限。超出樣品細(xì)節(jié)特征和設(shè)備分辨能力,過(guò)大的放大倍數(shù)只能導(dǎo)致視場(chǎng)狹小且圖像模糊。下圖為電感內(nèi)部鐵硅鉻氧化物粉末的高倍圖像,右邊20萬(wàn)倍的圖像未必能帶來(lái)更多有用信息,環(huán)境因素帶來(lái)的干擾卻能被觀察到。
圖2 較高倍數(shù)下的圖像
再回看圖1,不僅在樣品上的掃描寬度跟圖像的顯示寬度存在放大倍數(shù)M的關(guān)系,在樣品上掃描的小格子ι物和圖像上的小格子L像(圖像像素)的大小上也存在放大倍數(shù)M的對(duì)應(yīng),即:M=L像/ ι物。ι物也等于掃描步進(jìn),為了與圖像的像素對(duì)應(yīng),我們不妨將其定義為樣品像素。
當(dāng)L像為100 μm時(shí),放大倍數(shù)M和樣品上格子大小ι物的關(guān)系見(jiàn)表1。
表1 放大倍數(shù)與樣品上掃描步進(jìn)的關(guān)系
由表1可見(jiàn),隨著放大倍數(shù)的增加,掃描步進(jìn)急劇減小。在100萬(wàn)放大倍數(shù)下,掃描步進(jìn)已經(jīng)小于電鏡分辨率的極限(目前最好的商用掃描電鏡分辨率約為0.4 nm),必然會(huì)出現(xiàn)虛放大。所以,在很高的放大倍數(shù)下,掃描步進(jìn)急劇變小,受限于掃描電鏡分辨能力和樣品本身特征,圖像會(huì)變得模糊。
1.3 低倍率、大視場(chǎng)的實(shí)現(xiàn)
在實(shí)際的掃描電鏡中,雖然也存在單掃描線圈的設(shè)置,大部分情況下掃描線圈為兩組:一組線圈使得電子束偏離光軸,另一組重新使得電子束返回光軸并穿過(guò)物鏡的匯合點(diǎn)P以減少像差,如圖3所示。
圖3 低倍率的一種實(shí)現(xiàn)方式
在高放大倍數(shù)時(shí),掃描區(qū)域較小,電子束偏離光軸的角度也較小,電子束近乎平行于光軸方向入射到每個(gè)像素上。所以,最高放大倍數(shù)受制于電鏡的分辨率。較低的放大倍數(shù)除了易于尋找和定位樣品外,還具有更高的景深,更大的視場(chǎng),能反映樣品的整體信息。然而,掃描電鏡在實(shí)現(xiàn)低倍數(shù)時(shí)存在一些需要克服的困難,有時(shí)很難達(dá)到很低的放大倍數(shù)。所以在一些電鏡中,為了實(shí)現(xiàn)較低的放大倍率,除高倍模式(High Mag Mod)外,還設(shè)置了專(zhuān)用的低倍模式(Low Mag Mod)。
為了防止圖像畸變,夾角γ被限制在很小的范圍,同時(shí)也限制了掃描的區(qū)域(在圖3中,如果γmax是允許的最大角度,那么在工作距離為W1時(shí),樣品上的最大掃描范圍是ι1)。如果想增加掃描區(qū)域(即降低放大倍數(shù)),可以增加工作距離,在工作距離為W2時(shí),樣品上的最大掃描范圍是ι2;也可以只使一組掃描線圈工作,在工作距離為W2時(shí),樣品上的最大掃描范圍是ι3,明顯降低了放大倍數(shù),增加了掃描范圍。放大倍數(shù)的靈活實(shí)現(xiàn)不僅能一覽無(wú)余,還能纖維畢露。
還有其他超低倍、大視場(chǎng)的實(shí)現(xiàn)方式,比如調(diào)整光路(開(kāi)關(guān)一些透鏡,或改進(jìn)物鏡設(shè)計(jì)),還有軟硬件結(jié)合的方式(軟件控制樣品臺(tái)移動(dòng),連續(xù)拍攝然后自動(dòng)拼接)。
2 聚焦操作
同光學(xué)會(huì)聚光線一樣,在掃描電鏡中使電子束會(huì)聚于一點(diǎn)的過(guò)程,稱(chēng)為聚焦。圖4為不同聚焦情況下的電鏡圖片,可見(jiàn)聚焦時(shí)WD也變化,聚焦時(shí)圖像最清楚。下邊讓我們?cè)敿?xì)介紹掃描電鏡聚焦實(shí)現(xiàn)、對(duì)圖像的影響以及工作距離的概念。
⑴ Capture
⑵ 聚焦演示
圖4 不同聚焦情況下圖像的變化
圖5所示,電子束被物鏡的電磁場(chǎng)以一定角度會(huì)聚,在樣品上形成一個(gè)焦斑。在掃描電鏡中通常使用工作距離代替焦距。工作距離(Working distance, WD),指物鏡下端到焦斑的距離。由于掃描電鏡成像時(shí)焦斑落在樣品表面,此時(shí)可將工作距離理解為樣品到物鏡下端的距離;或者反過(guò)來(lái)說(shuō),當(dāng)工作距離等于樣品到物鏡下端的實(shí)際距離時(shí),成像才是清楚的。如果工作距離跟實(shí)際距離不同,則成像不清晰。
圖5 掃描電鏡的聚焦和操作示意圖
由圖可見(jiàn),僅在正焦情況下電子束作用在樣品上的焦斑最小,成像最清晰。在理想情況下,本像素的信息來(lái)自于本像素區(qū)域,若焦斑大于像素則臨近像素的信號(hào)強(qiáng)度也會(huì)被計(jì)入本像素區(qū)域的信號(hào)強(qiáng)度,以此類(lèi)推,像素之間的信號(hào)會(huì)互相干擾。因此,在正焦?fàn)顟B(tài)下,若焦斑小于掃描步進(jìn),沒(méi)有像素之間信號(hào)的干擾,成像清晰;在過(guò)焦和欠焦?fàn)顟B(tài)下,若焦斑遠(yuǎn)超掃描步進(jìn),則會(huì)存在臨近間信號(hào)干擾,會(huì)導(dǎo)致成像模糊。
掃描電鏡的操作簡(jiǎn)單易學(xué),尤其是聚焦操作與光鏡類(lèi)似,但其原理迥異。普通光鏡焦距固定,通過(guò)調(diào)節(jié)物鏡-樣品的位置來(lái)實(shí)現(xiàn)聚焦,而掃描電鏡聚焦則是在樣品固定的情況下通過(guò)改變物鏡磁場(chǎng)(焦距變化)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。如圖5所示,調(diào)焦時(shí)通過(guò)鼠標(biāo)、鍵盤(pán)或旋鈕調(diào)節(jié)物鏡線圈的電流來(lái)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度。電流越大,物鏡的磁場(chǎng)越強(qiáng),其對(duì)電子束的會(huì)聚作用越強(qiáng),電子束偏折程度越大,即焦距/工作距離越短。所以,通過(guò)對(duì)電流的調(diào)節(jié)可以非常方便地實(shí)現(xiàn)對(duì)工作距離的調(diào)節(jié)并實(shí)現(xiàn)聚焦。這時(shí),工作距離與物鏡到樣品的實(shí)際距離一致時(shí),圖像最清晰。
聚焦決定了圖像的清晰和明銳情況,所以需要調(diào)節(jié)物鏡的線圈電流,通過(guò)觀察圖像清晰的情況來(lái)實(shí)現(xiàn)。若初始樣品處于過(guò)焦位置(強(qiáng)磁場(chǎng),短工作距離),我們通過(guò)減弱電流,使磁場(chǎng)強(qiáng)度由強(qiáng)變?nèi)酰ぷ骶嚯x由小變大。而在樣品上的束斑尺寸由大變小再由小變大,圖像也隨之模糊-清晰-模糊地變化,來(lái)回調(diào)節(jié)則可以找到最適合的條件,使得樣品恰好正焦,圖片變得最清晰、明銳。
3 聚焦操作建議
聚焦是最基本的操作,似乎非常容易掌握,但是操作不當(dāng)也得不到清晰的圖像。對(duì)焦距的判斷,無(wú)論是光學(xué)還是電子光學(xué),越是高倍率判斷得越準(zhǔn)確,所以拍照時(shí)可以先在稍高倍率下(比如是拍照倍數(shù)的2~3倍)聚焦,然后回到拍照倍數(shù)下進(jìn)行拍照。再比如在同一位置拍攝多張不同倍數(shù)的照片(在高倍率下不出現(xiàn)表面被污染的現(xiàn)象),可以從高倍率開(kāi)始拍攝以減少聚焦次數(shù)。
另外,電鏡都具備局部聚焦觀察功能(Reduced area或Reduced scan),通過(guò)一個(gè)縮小的觀察框觀察局部。使用這種功能也方便聚焦和調(diào)節(jié)像散,它有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):一是只觀察感興趣的區(qū)域并進(jìn)行聚焦操作,調(diào)節(jié)更精確;二是電子束被局限在觀察框內(nèi),觀察時(shí)的電子束劑量接近拍照時(shí)的劑量,觀察的圖片跟拍照時(shí)的圖片亮度和對(duì)比度差別不大。
對(duì)于電子束敏感樣品,聚焦時(shí)還應(yīng)防止電子束損傷。放大操作和使用局部觀察都可能使局部的電子束劑量超過(guò)樣品的耐受范圍,或者使表面被污染。可就近在非目標(biāo)區(qū)域聚焦,后在目標(biāo)區(qū)域拍照。對(duì)于平面樣品,因?yàn)槿狈π蚊惨r度,聚焦和消像散可能存在困難,可以選擇有顯著落差的區(qū)域(如邊緣)甚至無(wú)關(guān)物(如掉落的灰塵)處聚焦,然后再聚焦平整處。
聚焦操作雖然簡(jiǎn)單,但是為了獲得更好的成像質(zhì)量,需要保障電鏡整體電子光學(xué)系統(tǒng)的良好工作,如合軸和消像散。工作距離對(duì)于成像和分析同樣重要,此外,為了達(dá)到合適的觀察效果,還需要設(shè)置參數(shù),如加速電壓、束流和束斑,下一篇會(huì)敘及。
聚焦(必要時(shí)還需消像散)調(diào)節(jié)好以后,需要選擇拍攝模式和時(shí)間。
4 拍攝速度選擇
在進(jìn)行光柵掃描時(shí)電子束在每個(gè)像素點(diǎn)上停留的時(shí)間被稱(chēng)為駐留時(shí)間(Dwell time),通常在納秒到微秒量級(jí)。獲得一整幅電鏡圖片的時(shí)間稱(chēng)為掃描時(shí)間(Frame time),一般從幾秒到幾十秒(根據(jù)駐留時(shí)間和像素尺寸)。電子束駐留時(shí)間短,則收集信號(hào)少、信噪比差、圖片模糊,但掃描速度快、圖片采集時(shí)間短。如果駐留時(shí)間很長(zhǎng)(假設(shè)樣品也不變化),那么收集到的信號(hào)量就比較多,圖片信噪比會(huì)更好,但是整個(gè)圖片耗時(shí)長(zhǎng)、掃描速度慢。在電鏡軟件中可以通過(guò)改變這些時(shí)間或者選擇速度擋位。
圖像由信號(hào)和噪聲組成。信號(hào)與被掃描的物體特征相關(guān),噪聲在本質(zhì)上是隨機(jī)的。因此,對(duì)同一區(qū)域進(jìn)行多次掃描,那么恒定的信號(hào)被疊加,而隨機(jī)的噪聲則被部分抵消,這樣可以增強(qiáng)信號(hào)、抑制噪聲。除了設(shè)置掃描時(shí)間的長(zhǎng)短(掃描速度的快慢)外,電鏡還有幾種降噪模式:線積分/平均、幀積分/平均、隔行掃描、漂移校正模式等。
線積分掃描(Line Int),水平方向的信號(hào)快速疊加多次,然后再做垂直方向的掃描。多幀疊加或幀積分(Frame Int.),將多幀圖像疊加以消除噪聲。多幀疊加通常選擇快的幀速率和/或小的束流,可以有效避免慢的幀速率和/或高束流下電荷積累或電子束損傷而產(chǎn)生的假象,但是當(dāng)樣品不穩(wěn)定或漂移時(shí)則不適用。漂移矯正(Drift Comp. Frame. Int.),較之多幀疊加其優(yōu)勢(shì)在于智能算法,通過(guò)比較圖像來(lái)識(shí)別漂移再進(jìn)行疊加補(bǔ)償。這種方法對(duì)于存在樣品漂移、輕微荷電時(shí)的成像有較好作用。
圖6 幾種降噪掃描方式
參考文獻(xiàn)
(1) 施明哲. 掃描電鏡和能譜儀的原理與實(shí)用分析技術(shù)[M]. 電子工業(yè)出版社, 2015.
(2) 張大同. 掃描電鏡與能譜儀分析技術(shù)[M]. 華南理工大學(xué)出版社, 2009.
(3) 高尚,楊振英,馬清,等. 掃描電鏡與顯微分析的原理、技術(shù)及進(jìn)展[M]. 廣州: 華南理工大學(xué)出版社,2021.
(4) Reimer L. Scanning Electron Microscopy — Physics of Image Formation and Microanalysis, 2nd [M]. Springer, 1998.
(5) Goldstein J, Newbury, D E, et al. Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis, 3rd[M]. Springer, 2003.
(6) Goldstein J, Newbury, D E, et al. Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis, 4th[M]. Springer, 2018.
(7) Ul-Hamid, A. A beginners' guide to scanning electron microscopy[M]. Springer, 2018.
(8) Suga M, Asahina S, Sakuda Y, et al. Recent progress in scanning electron microscopy for the characterization of fine structural details of nano materials[J]. Progress in Solid State Chemistry, 2014, 42(1): 1-21.
(9) Xing Q. Information or resolution: Which is required from an SEM to study bulk inorganic materials?[J]. Scanning, 2016, 38(6): 864-879.
(10) Liu Zheng, Fujita Nobuhisa, Miyasaka Keiichi,et al. A review of fine structures of nanoporous materials as evidenced by microscopic methods[J]. Microscopy, 2013(1):109-146
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