AEC-Q測(cè)試
| AEC-Q100 | AEC-Q101 | AEC-Q102 | AEC-Q103 | AEC-Q104 | AEC-Q200 |
AEC-Q104測(cè)試主要針對(duì)車用多芯片模塊可靠性測(cè)試，是AEC-Q系列家族成員中較新的汽車電子規(guī)范。
AEC-Q104上，為了依據(jù)MCM在汽車上實(shí)際使用環(huán)境，為復(fù)合式的環(huán)境，因此增加順序試驗(yàn)，驗(yàn)證通過的難度變高。例如，必須先執(zhí)行完High Temp Operating Life(HTOL)，才能做Thermal Shock(TS)，顛倒過來就不行。AEC-Q104中針對(duì)MCM，增加H系列的測(cè)項(xiàng)；此外，針對(duì)零件本身的可靠性測(cè)試(Component Level Reliability)，也增加了Thermal Shock(TS)及外觀檢視離子遷移(VISM)。
AEC-Q104規(guī)范中，共分為A-H八大系列。其中，一大原則，在于MCM上使用的所有組件，包括電阻電容電感等被動(dòng)組件、二極管離散組件、以及IC本身，在組合前若有通過AEC-Q100、AEC-Q101或AEC-Q200，MCM產(chǎn)品只需進(jìn)行AEC-Q104H內(nèi)僅7項(xiàng)的測(cè)試，包括4項(xiàng)可靠性測(cè)試:TCT(溫度循環(huán))、Drop(落下)、LowTemperature Storage Life(LTSL)、Start Up &Temperature Steps(STEP)；以及3項(xiàng)失效類檢驗(yàn):X-Ray、Acoustic Microscopy(AM)、Destructive Physical(DPA)；若MCM上的組件未先通過AEC-Q100、AEC-Q101與AEC-Q200，那必須從AEC-Q104的A-H八大測(cè)項(xiàng)共49項(xiàng)目中，依據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用，決定驗(yàn)證項(xiàng)目，驗(yàn)證項(xiàng)目會(huì)變得比較多。
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測(cè)試流程
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| 序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 縮寫 | 檢測(cè)方法 |
|---|---|---|---|
| A組 加速環(huán)境應(yīng)力測(cè)試 | |||
| A1 | 預(yù)處理 | PC | J-STD-020 JESD22-A113 |
| A2 | 有偏溫濕度或有偏高加速應(yīng)力測(cè)試 | THB/HAST | JESD22-A101 JESD22-A110 |
| A3 | 高壓或無偏高加速應(yīng)力測(cè)試或無偏溫濕度測(cè)試 | AC/UHST/TH | JESD22-A102 JESD22-A118 JESD22-A101 |
| A4 | 溫度循環(huán) | TC | JESD22-A104 |
| A5 | 功率負(fù)載溫度循環(huán) | PTC | JESD22-A105 |
| A6 | 高溫儲(chǔ)存壽命測(cè)試 | HSL | JESD22-A103 |
| B組 加速壽命模擬測(cè)試 | |||
| B1 | 高溫工作壽命 | HTOL | JEDEC JESD22-A108 |
| B2 | 早期壽命失效率 | ELFR | 附錄2 |
| B3 | NVM擦寫次數(shù)，數(shù)據(jù)保持和工作壽命 | EDR | AEC Q100-005 |
| C組 封裝組合完整性測(cè)試 | |||
| C1 | 綁線剪切 | WBS | AEC Q100-001 AEC Q003 |
| C2 | 綁線拉力 | WBP | MIL-STD 883 Method 2011 AEC Q003 |
| C3 | 可焊性 | SD | JESD22 J-STD-002 |
| C4 | 物理尺寸 | PD | JESD22-B100 JESD22-B108 |
| C5 | 錫球剪切 | SBS | JESD22-B117 |
| C6 | 引腳完整性 | LI | JESD22-B105 |
| C7 | X-RAY | X-RAY | / |
| C8 | 聲學(xué)顯微鏡 | AM | / |
| D組 芯片晶元可靠度測(cè)試 | |||
| D1 | 電遷移 | EM | JEDEC JEP001 |
| D2 | 經(jīng)時(shí)介質(zhì)擊穿 | TDDB | JEDEC JEP001 |
| D3 | 熱載流子注入效應(yīng) | HCI | JEDEC JEP001 |
| D4 | 負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性 | NBTI | JEDEC JEP001 |
| D5 | 應(yīng)力遷移 | SM | JEDEC JEP001 |
| E組 電氣特性確認(rèn)測(cè)試 | |||
| E1 | 應(yīng)力測(cè)試前后功能參數(shù)測(cè)試 | TEST | 規(guī)格書 |
| E2 | 靜電放電（HBM） | HBM | AEC-Q100-002 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 |
| E3 | 靜電放電（CDM） | CDM | AEC-Q100-011 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 |
| E4 | 閂鎖效應(yīng) | LU | AEC-Q100-004 JESD78 |
| E5 | 電分配 | ED | AEC-Q100-009 |
| E6 | 故障等級(jí) | FG | AEC-Q100-007 |
| E7 | 特性描述 | CHAR | AEC-Q003 |
| E8 | 電磁兼容 | EMC | SAE JI752/3 RE |
| E9 | 軟誤差率 | SER | JESD89-1 JESD89-2 JESD89-3 |
| E10 | 無鉛（Pb） | LF | AEC-Q005 |
| F組 缺陷篩選測(cè)試 | |||
| F1 | 過程平均測(cè)試 | PAT | AEC-Q001 |
| F2 | 統(tǒng)計(jì)良率分析 | SBA | AEC-Q002 |
| G組 腔體封裝完整性測(cè)試 | |||
| G1 | 機(jī)械沖擊 | MS | JESD22-B110 |
| G2 | 變頻振動(dòng) | VFV | JESD22-B103 |
| G3 | 恒加速 | CA | MIL-STD-883 Method2001 |
| G4 | 粗細(xì)氣漏測(cè)試 | GFL | MIL-STD-883 Method1014 |
| G5 | 跌落 | DROP | JESD22-B110 |
| G6 | 蓋板扭力測(cè)試 | LT | MIL-STD-883 Method2024 |
| G7 | 芯片剪切 | DS | MIL-STD-883 Method2019 |
| G8 | 內(nèi)部水汽含量測(cè)試 | IWV | MIL-STD-883 Method1018 |
| H組 模組特殊要求 | |||
| H1 | 板階可靠性 | BLR | IPC-9701 |
| H2 | 低溫儲(chǔ)存壽命測(cè)試 | LTSL | JESD22-A119 |
| H3 | 啟動(dòng)和溫度沖擊 | STEP | ISO 16750-4 |
| H4 | 跌落 | DROP | JESD22-B111 |
| H5 | 破壞性物理分析 | DPA | MIL-STD-158 |
| H6 | X-RAY | X-RAY | / |
| H7 | 聲學(xué)顯微鏡 | AM | / |
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