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產(chǎn)品SMT后為什么出現(xiàn)不開機現(xiàn)象?與柯肯達爾空洞有關(guān)?

2023-12-29  瀏覽量:645

 

產(chǎn)品SMT后為什么出現(xiàn)不開機現(xiàn)象?與柯肯達爾空洞有關(guān)?

 

引言

 

某產(chǎn)品SMT后出現(xiàn)不開機現(xiàn)象。初步排查,懷疑為DDR焊點焊接不良導致不開機,測試分析后發(fā)現(xiàn)是存在柯肯達爾空洞現(xiàn)象。

 

測試分析

 

1 外觀檢查

 

體視顯微鏡進行外觀檢查發(fā)現(xiàn)失效BGA邊角焊點成型完好,焊盤潤濕完好,焊點表面光亮,未發(fā)現(xiàn)明顯橋接、虛焊、枕型焊等異常。

 

2 X-Ray&CT斷層掃描分析

 

通過X-Ray&CT無損透視技術(shù)進行觀察,結(jié)果顯示X-Ray及CT掃描結(jié)果顯示,焊點成型完好,未發(fā)現(xiàn)明顯橋接、空焊、枕型焊點等異常。

 

X-Ray 掃描結(jié)果

圖1 X-Ray 掃描結(jié)果

 

CT 斷層掃描結(jié)果

圖2 CT 斷層掃描結(jié)果

 

3 紅墨水染色試驗&切片分析

 

通過紅墨水染色試驗和切片方法對焊點焊接質(zhì)量進行檢查;紅墨水染色試驗結(jié)未觀察到明顯染色現(xiàn)象,且切片結(jié)果顯示,焊點焊接完好,未發(fā)現(xiàn)明顯焊接異常。

 

 

4 芯片分析

 

通過以上測試,未發(fā)現(xiàn)焊接異常現(xiàn)象,可以排除焊接不良對產(chǎn)品失效的影響,下面通過超聲波掃描、化學開封、離子切割及SEM觀察技術(shù)對芯片封裝及綁定質(zhì)量進行分析。

 

4.1 開封內(nèi)部觀察

 

利用超聲波掃描顯微鏡對失效產(chǎn)品及DDR原物料進行測試,目的是觀察芯片內(nèi)部是否存在分層異常,結(jié)果如圖5-10所示。

超聲波結(jié)果顯示,失效產(chǎn)品及DDR原物料內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)明顯分層異常。

(備注:紅色圖像代表分層異常,圖像結(jié)果未顯示紅色警戒色,說明封裝內(nèi)部無分層異常)

 

 

4.2 IV特性曲線測量

 

為了確認失效產(chǎn)品電性是否異常,采用晶體管圖示儀對重要引腳進行IV特性曲線測量;結(jié)果如圖11所示,失效產(chǎn)品較DDR原物料在個別引腳上,IV特性曲線有一些差異。

 

失效產(chǎn)品及DDR原物料IV特性曲線測量結(jié)果

圖11 失效產(chǎn)品及DDR原物料IV特性曲線測量結(jié)果

 

4.3 綁定點焊接質(zhì)量分析

 

檢測結(jié)果發(fā)現(xiàn)綁定點鍵合處明顯發(fā)現(xiàn)較多連續(xù)裂紋,裂紋位置為金鋁合金焊接界面,此失效現(xiàn)象稱為柯肯達爾Kirkendall空洞失效。

 

失效產(chǎn)品CP處理后SEM觀察結(jié)果

圖12 失效產(chǎn)品CP處理后SEM觀察結(jié)果

 

DDR原物料CP處理后SEM觀察結(jié)果

圖13 DDR原物料CP處理后SEM觀察結(jié)果

 

5 失效機理

 

5.1 柯肯達爾Kirkendall空洞

 

在引線鍵合工藝中,純金引線與鋁墊片之間將形成金鋁間化合物Au-Al IMC(Inter-Metallic Compounds)。金和鋁共晶的不同階段會形成不同的化合物,通常金鋁首先形成Au8Al3化合物,隨著鍵合的繼續(xù),Au8Al3將繼續(xù)共晶形成Au2Al。此時,在該IMC界面上的化合物將隨著結(jié)合部位的金和鋁的比例來確定如何繼續(xù)共晶。

在高溫環(huán)境下,原始的IMC將在完成鍵合工藝后繼續(xù)生長成Au8Al3,Au2Al,AuAl2,AuAl,Au4Al等化合物。這些IMC的材料特性各異,而且較金和鋁,金鋁IMC的熱膨脹系數(shù)相當?shù)汀MC內(nèi)部不同化合物之間包含許多晶界,存在很多應力和不純等晶格缺陷,而且這些IMC比金和鋁更硬更脆,在高溫環(huán)境下會加速IMC的生長速度,形成柯肯達爾空洞,容易產(chǎn)生裂紋而導致開路。因此,高溫存儲測試被用作檢測潛在鍵合失效的常用方法。

 

5.2 失效機理

 

柯肯達爾空洞是由于IMC生長導致的,而IMC的生長基本遵循一種拋物線關(guān)系,

其中X一IMC厚度(um),K一擴散率常數(shù),t一老化時間(sec) 。而擴散系數(shù)的計算公式如下:

其中C一常數(shù), E一激活能量,k一玻爾茲曼常數(shù), T一絕對溫度。

對于99.99%的高純度金線K=1.9X10-12cm2/sec,通過上述公式我們可以看出IMC厚度將不可避免的隨著高溫老化時間的增加而不斷生長,并最終由于晶格缺陷而引起柯肯達爾空洞失效。因此如何有效延緩和避免IMC的過快生長對于保證產(chǎn)品的可靠性至關(guān)重要。

我們可以觀察到一個細節(jié),就是IMC的厚度只與兩個變量有關(guān):時間和溫度,時間是無法控制的,但是溫度卻是可以控制,所以降低溫度可以減緩IMC的生長速度,從而延長器件的使用壽命。

 

結(jié)論

 

引起產(chǎn)品不開機的根本原因為芯片本體不良,存在柯肯達爾空洞現(xiàn)象,導致產(chǎn)品不開機。

 

*** 以上內(nèi)容均為原創(chuàng),如需轉(zhuǎn)載,請注明出處 ***

 

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