FIB在ITO表面缺陷的應(yīng)用
你不會(huì)還不知道FIB的寶藏功能吧!
FIB功能 - 離子束切割
FIB使用的是液態(tài)金屬離子源(鎵離子源)。針型液態(tài)金屬離子源的尖端是直徑約幾微米的鎢針,針尖正對(duì)著孔徑,在孔徑上加一外電場(chǎng),同時(shí)加熱金屬,液態(tài)金屬浸潤(rùn)針尖,在外加電場(chǎng)作用下形成離子流。離子源發(fā)射出來(lái)的離子經(jīng)過(guò)光闌限束后由聚焦系統(tǒng)聚焦,然后通過(guò)不同孔徑的可變光闌,得到束流可控的離子束。離子束在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)控制下可按特定路徑進(jìn)行掃描,最后經(jīng)過(guò)物鏡入射到樣品表面。
鎵離子束轟擊樣品表面,會(huì)去除樣品表面的原子,從而達(dá)到切割的目的,與此同時(shí)還可以用電子束成像觀察截面。
案例 - FIB在ITO表面缺陷的應(yīng)用
案例背景
通過(guò)FIB的高精度定位切割功能,配合場(chǎng)發(fā)射SEM/EDS,綜合分析ITO截面的尺寸和腐蝕產(chǎn)物元素成分,為產(chǎn)品質(zhì)量提供快捷有效的證據(jù)。
1. 引言
本案例失效樣品為某顯示屏,具體失效位置在前端IC位置,失效現(xiàn)象是ITO出現(xiàn)出現(xiàn)腐蝕導(dǎo)致顯示異常,如下圖所示,需具體分析失效的原因。
圖1. ITO表面缺陷SEM觀察圖
2. 試驗(yàn)與結(jié)果
圖2. 正常位置截面觀察圖
圖3. 失效位置截面觀察圖
圖4. 正常位置EDS測(cè)試譜圖
圖5. 失效位置EDS測(cè)試譜圖
3. 結(jié)論
根據(jù)測(cè)試結(jié)果,對(duì)比失效位置和正常位置的成分,推斷可能是ITO位置有Mg、K、Ca的鹽類或堿污染,在使用過(guò)程中環(huán)境中的水分子在濃度梯度作用下滲透進(jìn)ITO位置,形成導(dǎo)電溶液,在通電情況下形成電化學(xué)腐蝕造成的。
*** 以上內(nèi)容均為原創(chuàng),如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明出處 ***
- 了解更多
- 資質(zhì)證書
- 專家介紹
- 聯(lián)系我們
- 聯(lián)系我們
深圳美信總部
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
蘇州美信
熱線:400-118-1002
郵箱:marketing@mttlab.com
北京美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
東莞美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
廣州美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
柳州美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
寧波美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com
西安美信
熱線:400-850-4050
郵箱:marketing@mttlab.com