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MOS管漏電失效分析

2022-08-25  瀏覽量:3107

 

引言

 

MOS管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,作為電壓驅動大電流型器件,大量應用于電路尤其是動力系統(tǒng)中。本文以MOS管漏電失效為例,通過形貌觀察、無損分析、開封觀察、定位分析、SEM形貌觀察、去層分析等測試方法,分析其失效原因,并提出改善建議。

 

一、案例背景

 

產品在測試階段通過萬用表測試發(fā)現(xiàn)PCBA上MOS管漏電失效,現(xiàn)進行分析,查找其失效原因。

 

二、分析過程

 

1. 外觀檢查

對失效PCBA上MOS管進行外觀檢查;觀察結果顯示:失效PCBA上1#MOS管外觀無明顯的裂紋、破損等異常,與旁邊的2#MOS管無明顯差異。

 

2. 失效現(xiàn)象確認

為確認失效PCBA上1#MOS管是否存在明顯的漏電現(xiàn)象,對比測試2#MOS管與1#MOS管引腳間的半導體特性,發(fā)現(xiàn)1#MOS管引腳間都存在明顯的漏電現(xiàn)象。

 

MOS管引腳間半導體特性曲線

圖1. MOS管引腳間半導體特性曲線

 

3. 無損分析

為確認失效1#MOS管內部結構、封裝是否存在明顯缺陷,取下1#、2#MOS管利用X-ray、超聲掃描對其進行無損分析。

無損分析結果顯示:失效的1#MOS管內部結構完整,鍵合絲未發(fā)現(xiàn)明顯的斷裂跡象;超聲掃描未發(fā)現(xiàn)內部封裝有分層現(xiàn)象,可排除因內部金屬遷移導致的漏電失效。

 

1#、2#MOS管X-ray檢查形貌

圖2. 1#、2#MOS管X-ray檢查形貌

 

MOS管超聲掃描形貌

圖3. MOS管超聲掃描形貌

 

4. 開封觀察

為確認失效1#MOS管內部是否存在明顯燒毀現(xiàn)象,對1#、2#MOS管進行開封觀察。

觀察結果顯示:1#MOS管表面未發(fā)現(xiàn)明顯裂紋、破損、燒毀等明顯異常,與2#MOS管表面形貌基本一致。

 

1#、2#MOS管開封后形貌

圖4. 1#、2#MOS管開封后形貌

 

5. 定位分析

前面分析可知:1#MOS管存在漏電現(xiàn)象,為確認1#內部的漏電位置,利用OBIRCH定位技術對1#內部的漏電位置進行定位分析。

定位結果顯示:1#MOS管存在異常亮點,亮點主要集中在晶圓上邊沿,如圖所示。

 

1#MOS定位形貌

圖5. 1#MOS定位形貌

 

6. SEM形貌觀察

為確認1#MOS管漏電的可能原因,利用電子掃描顯微鏡對1#MOS管異常亮點周邊位置進行SEM形貌觀察。

開封結果顯示:1#MOS管異常亮點位置的金屬層存在裂紋,因金屬層覆蓋,芯片內部是否存在其他缺陷需進一步確認。

 

1#MOS管開封后SEM形貌

圖6. 1#MOS管開封后SEM形貌

 

2#MOS管開封后SEM形貌

圖7. 2#MOS管開封后SEM形貌

 

7. 去層分析

7.1 去表面金屬層

為確認芯片內部是否存在其他異常,利用化學藥水去除1#MOS芯片表面的金屬層,觀察內部晶胞形貌。

觀察結果顯示:內部小單元晶胞存在擊穿、熔融的現(xiàn)象,擊穿熔融周邊伴隨著裂紋產生。

 

1#MOS管去表面金屬層后形貌

圖8. 1#MOS管去表面金屬層后形貌

 

7.2 去介質層

為確認失效的1#MOS管Si襯底是否存在其他缺陷,去除內部介質層后觀察襯底形貌。

觀察結果顯示:1#MOS管Si襯底只存在熔融現(xiàn)象,未發(fā)現(xiàn)由外圍延伸到內部的裂紋、破損等異常。

 

1#MOS管去介質層后形貌

圖9. 1#MOS管去介質層后形貌

 

以上測試結果說明:MOS管失效的原因為內部存在擊穿熔融燒毀的現(xiàn)象,從形貌上判斷應屬于過壓擊穿。

 

三、總結分析

 

MOS管在測試階段出現(xiàn)漏電失效,經過外觀檢查、失效現(xiàn)象確認、無損分析、開封觀察、定位分析、SEM形貌觀察、去層分析等測試后發(fā)現(xiàn):

 

(1)外觀檢查未發(fā)現(xiàn)失效的MOS管存在裂紋、破損等異常,與旁邊的2#MOS管外觀形貌基本一致,因此可排除因受外力導致的失效;

 

(2)通過半導體特性測試,確認失效MOS管引腳間都存在漏電現(xiàn)象;

 

(3)X-ray檢查、超聲掃描等無損分析未發(fā)現(xiàn)失效MOS管內部存在鍵合斷裂、分層等異常現(xiàn)象,因此MOS管失效可排查因物料封裝缺陷導致的失效;

 

(4)開封觀察未發(fā)現(xiàn)失效MOS管芯片表層存在明顯燒毀的現(xiàn)象,通過定位分析確認失效MOS漏電點主要集中在芯片上邊沿部位;通過對漏電位置的SEM形貌觀察發(fā)現(xiàn)漏電附近有金屬層存在裂紋;

 

(5)通過去除失效MOS管表面的金屬層以及介質層確認失效MOS管漏電位置存在擊穿熔融的現(xiàn)象,這是MOS管漏電失效的原因。失效MOS管擊穿熔融位置的形貌表現(xiàn)為范圍小、擊穿現(xiàn)象輕微,這種形貌應是短時的過壓擊穿后形成的。

 

四、結論與建議

 

MOS管失效的原因為承受了短時的過電壓導致的引腳間漏電。

 

改善建議

1. 排查MOS管供應電路是否有過壓現(xiàn)象;

2. 做好物料、PCBA的靜電防護。

 

*** 以上內容均為原創(chuàng),如需轉載,請注明出處 ***

 

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