電子元器件典型失效分析技術(shù)培訓(xùn)
如何在實(shí)際生產(chǎn)中快速判斷元器件失效模式,明確失效原因與機(jī)理?
如何進(jìn)行電子元器件失效分析,解決、預(yù)防失效現(xiàn)象?
美信檢測(cè)將于2021年10月30-31日在深圳市舉辦電子元器件典型失效分析技術(shù)培訓(xùn)。從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),以豐富的經(jīng)典失效案例結(jié)合理論分析,幫助企業(yè)建立元器件可靠性、失效模式、失效機(jī)理、失效分析技術(shù)等基本概念,使技術(shù)人員全面認(rèn)識(shí)了解常用電子元器件的各類典型失效模式與機(jī)理,掌握失效分析思路與方法,在實(shí)際生產(chǎn)活動(dòng)中快速判斷產(chǎn)品失效模式,查找失效原因與機(jī)理、有針對(duì)性的提出預(yù)防與解決措施,全面提升企業(yè)失效分析技術(shù)能力,提升產(chǎn)品質(zhì)量可靠性、改進(jìn)生產(chǎn)工藝。
培訓(xùn)特色
講師經(jīng)驗(yàn)
授課講師作為全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員、首席IC故障分析專家,具有十幾年元器件失效分析經(jīng)驗(yàn),授課內(nèi)容著重于企業(yè)實(shí)踐技術(shù)和學(xué)員的消化吸收效果。課程面向設(shè)計(jì)生產(chǎn)實(shí)際,針對(duì)具體問(wèn)題,以豐富詳實(shí)的案例詳解結(jié)合理論分析,幫助學(xué)員與企業(yè)深刻掌握電子元器件失效分析技術(shù)與方法。
課程內(nèi)容
內(nèi)容包含失效分析技術(shù)、各類電子元器件的結(jié)構(gòu)、原理、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)、不同失效模式與機(jī)理,以典型失效案例分析為主,重點(diǎn)講述失效分析技術(shù)與思路。
企業(yè)內(nèi)訓(xùn)
該課程接受企業(yè)內(nèi)訓(xùn)或咨詢服務(wù),詳情可聯(lián)系手機(jī)13392891259進(jìn)行咨詢。學(xué)員也可在培訓(xùn)前將遇到的各種失效分析技術(shù)難題反饋給講師,講師將在培訓(xùn)現(xiàn)場(chǎng)詳細(xì)解答。
課程大綱
1. 失效分析技術(shù)
1.1 失效分析的基本概念
1.2 失效分析的基本原則
1.3 失效分析的作用
1.4 失效分析技術(shù)
1.5 失效分析注意事項(xiàng)
1.6 破壞性物理分析技術(shù)
2. 阻容器件的典型失效機(jī)理及案例
2.1 電容基本結(jié)構(gòu)及常見(jiàn)失效模式及案例
2.1.1 電容結(jié)構(gòu)、原理及制程工藝
2.1.2 關(guān)鍵參數(shù)及特性
2.1.3 主要失效模式與機(jī)理分析及其預(yù)防
-物料缺陷(介質(zhì)層存在孔洞、介質(zhì)層分層、電極結(jié)瘤與電極短路、端電極缺陷)
-熱應(yīng)力
-機(jī)械應(yīng)力(沖擊斷裂、彎曲斷裂)
-可靠性失效金屬離子遷移(金屬離子遷移、介質(zhì)層老化)
2.1.4 典型失效案例分析
2.2 電阻基本結(jié)構(gòu)及常見(jiàn)失效模式及案例
2.2.1 電阻結(jié)構(gòu)與工藝流程
2.2.2 厚膜電阻失效模式與失效機(jī)理分析
-電阻硫化失效
-片式電阻采用手工補(bǔ)焊工藝導(dǎo)致失效
-應(yīng)力失效
-電阻燒毀
2.3 電感基本結(jié)構(gòu)及常見(jiàn)失效模式及案例
2.3.1 疊層片式電感結(jié)構(gòu)、工藝流程與關(guān)鍵參數(shù)
2.3.2 電感主要失效模式與失效分析方法
2.3.3 典型失效案例分析
3. 光電器件的典型失效機(jī)理及案例
3.1 光耦/感光傳感器基本結(jié)構(gòu)及常見(jiàn)失效模式
3.2 LED基本結(jié)構(gòu)及常見(jiàn)失效模式
3.2.1 LED工作機(jī)理與結(jié)構(gòu)
3.2.2 典型失效模式與機(jī)理
-芯片失效
-封裝失效(分層、工藝不良、腐蝕、銀遷移、鍵合)
-內(nèi)應(yīng)力失效(支架設(shè)計(jì)、熱應(yīng)力、濕應(yīng)力、收縮應(yīng)力)
-電應(yīng)力失效
-裝配失效
4. 繼電器和連接器的典型失效機(jī)理及案例
4.1 繼電器分類情況與基本參數(shù)
4.2 典型失效模式與案例分析
4.3 連接器的結(jié)構(gòu)組成、材料選擇與主要規(guī)格
4.4 典型失效模式與案例分析
5. 分立器件的典型失效機(jī)理及案例
5.1 分立器件的原理和結(jié)構(gòu)
5.2 分立器件的應(yīng)用與可靠性
5.2.1 二極管
-過(guò)壓擊穿
-二極管過(guò)熱/過(guò)功率燒毀
-二極管瞬態(tài)炸裂
5.2.2 MOS管
-MOS管的開(kāi)關(guān)應(yīng)用
-MOS管緩啟動(dòng)應(yīng)用
5.3 典型失效模式與案例分析
5.3.1 FET燒毀
5.3.2 MOS燒毀
5.3.3 PNP開(kāi)關(guān)晶體管開(kāi)路
5.3.4 MOS間歇性失效
5.3.5 晶體管模封體開(kāi)裂失效
5.3.6 過(guò)壓擊穿
5.3.7 Leadframe不平整導(dǎo)致鍵合缺陷
5.3.8 MOS管鍵合異常導(dǎo)致柵源極漏電
6. 集成電路的典型失效機(jī)理及案例
講師介紹
崔風(fēng)洲,美信咨詢副總經(jīng)理(美信檢測(cè)子公司)。工學(xué)碩士,畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料物理與化學(xué)專業(yè);全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員、IPC620專家組成員 、首席IC故障分析專家 、中國(guó)機(jī)械工程學(xué)會(huì)失效分析分會(huì)失效分析專家。具有15年以上的規(guī)模集成電路分析經(jīng)驗(yàn),先后在多家跨國(guó)公司從事IC設(shè)計(jì)、封裝生成、成品組裝后失效分析和技術(shù)管理工作,尤其擅長(zhǎng)芯片功能失效的定位,故障激發(fā)方法的設(shè)計(jì),對(duì)各種失效模式和機(jī)理有其深刻的見(jiàn)解。
培訓(xùn)詳情
培訓(xùn)時(shí)間:2021年10月30-31日
培訓(xùn)地點(diǎn):深圳市寶安區(qū)石巖街道北大科創(chuàng)園A1二樓會(huì)議室
培訓(xùn)費(fèi)用:3600元/人(費(fèi)用包含培訓(xùn)、教材(彩色印刷限量版教材)、結(jié)業(yè)證書、發(fā)票等費(fèi)用,培訓(xùn)期間提供中午工作餐。晚餐、住宿及其他費(fèi)用自理。)
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聯(lián)系方式
聯(lián)系人:劉久銘
電話:13392891259
電子郵箱:liujiuming@mttlab.com
固話:0755-36606281
美信檢測(cè)·培訓(xùn)中心
時(shí)間:2021年10月12日
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