曾志衛(wèi)，王文康

（深圳市美信檢測(cè)技術(shù)股份有限公司，深圳寶安，518108）

摘要：通過(guò)TOF-SIMS對(duì)某連接器表面出現(xiàn)白點(diǎn)的位置進(jìn)行分析，定性的分析了OK位置和NG位置上表面10nm以內(nèi)成分，為連接器產(chǎn)生白點(diǎn)的原因作出合理的推斷。

關(guān)鍵詞：TOF-SIMS，連接器，異物分析

1 案例背景

此連接器夏天存放的時(shí)候在樣品的表面會(huì)出現(xiàn)一些白點(diǎn)，而且白點(diǎn)一般從無(wú)到有，并會(huì)慢慢的長(zhǎng)大。客戶要求對(duì)白點(diǎn)的成分進(jìn)行分析，鑒于表面異物含量比較少，所以采用TOF-SIMS的分析手段。

圖1 樣品測(cè)試前外觀圖片

2 分析方法簡(jiǎn)述

TOF-SIMS是一種有效的表面分析手段，能檢測(cè)H在內(nèi)的所有元素及同位素，并能分析有機(jī)物的官能團(tuán)。所以對(duì)樣品表面進(jìn)行TOF-SIMS分析，NG位置和OK位置的測(cè)試結(jié)果如下圖所示，由譜圖可知，相比OK位置，NG位置含有較高的Cl和Br，這可能是引起連接器產(chǎn)生白點(diǎn)的主要原因。

圖2 樣品測(cè)試結(jié)果圖片

3 結(jié)論

由于NG位置含有較高含量的Cl和Br污染，在濕熱的環(huán)境下，吸潮形成電解液，產(chǎn)生電化學(xué)腐蝕，導(dǎo)致連接器表面產(chǎn)生白點(diǎn)，隨著腐蝕加深，白點(diǎn)慢慢擴(kuò)散、變大。

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